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IRFH5255PbF
1000
1000
100
10
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.50V
3.75V
3.50V
3.25V
3.00V
2.75V
2.50V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.50V
3.75V
3.50V
3.25V
3.00V
2.75V
2.50V
10
1
0.1
1
2.5V
0.01
2.50V
0.1
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
1.8
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.6
ID = 15A
VGS = 10V
10
1
0.1
T J = 150°C
T J = 25°C
VDS = 15V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14
12
10
ID= 15A
VDS= 20V
VDS= 13V
VDS= 5.0V
Coss
8
100
10
Crss
6
4
2
0
1
10
100
0
4
8
12
16
20
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
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